Технологично-индуцирани радиационни дефекти в силициеви микроелектронни структури : Дисертация за присъждане на научна степен "Доктор на техническите науки" по научна специалност 02.20.02 "Микроелектроника" /
| Основен автор: | Александрова, Сашка Петрова |
|---|---|
| Формат: | Глава |
| Език: | Bulgarian |
| Публикувано: |
София,
2009
|
| Предмети: |
| Описание на библ. документ: |
Защитена в Специализиран научен съвет по електронна и компютърна техника при ВАК |
|---|---|
| Физически характеристики: |
266 с. : с ил. ; 30 см |
| Библиография: |
Библиогр. с. 248-258 |