Високодозова йонна имплантация в Si и GaAs : Дис. /
| Основен автор: | Будинов, Хенри Иванов |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Език: | Bulgarian |
| Публикувано: |
Ботевград :
Институт по микроелектроника и оптоелектроника,
1990.
|
| Предмети: |
| Физически характеристики: |
203 с. ; 30 см + Автореф. 36 с. |
|---|